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非接触式加热设备的新进展

来源:苏州宏创高频加热设备

        了解非接触式加热设备可以先了解非接触式加热设备的发展过程和历史,以下内容介绍了非接触式加热设备在我国发展的进程。

       一、我国非接触式加热用中高频电源技术的发展历史

       1、20世纪70年代众多是单位参与开发的研究期

       纵观我国非接触式加热用中频电源的发展历史,我们可把其发展概括为70年代的开发研究期、八十年代的成熟应用期、九十年代的大范围推广期、20世纪末期的提高性能期。

       2、 二十世纪八十年代的成熟应用期

       3 、二十世纪九十年代的大范围推广应用期

       4、 二十世纪末期的提高性能期

       另一方面,为了解决电网的污染问题,提高效率,借助于IGBT及MOSFET水平提高、容量的扩大和成本的下降,国内非接触式加热用中变频电源已在小容量领域从晶闸管设备向以IGBT和MOSFET为主功率器件的高频电源过渡(工作频率为20kHz~200kHz范围),并已批量投入工业生产中应用,在此领域生产量比较大的有苏州宏创电磁非接触式加热设备等企业,但由于IGBT或MOSFET等器件应用技术在国内大多数企业还不是很成熟,因而决定了高频电源的生产企业相对还很少。

       二、非接触式加热用在中高频电源的发展趋势探讨

       1)以晶闸管为主功率器件的中频电源仍然不会退出历史舞台,仍将垄断大功率(几千千瓦以上)的中频电源领域,将是10吨、12吨、20吨炼钢或保温,用中频电源的主流设备。

       2)小功率晶闸管中频电源(功率容量小于1000kW)的将随着对效率及炼钢质量的要求不断提高,而逐渐减小使用量,但它们在沾火、弯管等领域仍将使用一段时间。

       3)主功率器件为IGCT及GTO的非接触式加热用中频电源将与主功率器件为晶闸管的中频电源展开激烈的竞争并逐渐缩小前者的市场份额。

       4)中高频(频率高于10kHz~30kHz)领域使用的中频电源将以IGBT为主要器件,其单机容量将随着IGBT自身容量的不断扩大而不断扩大,并获得越来越大的使用范围。

       5)高频(频率高于100kHz)领域的非接触式加热电源将以MOSFET为主要器件,伴随着MOSFET制造工艺的不断进步和突破以MOSFET为主功率器件的高频电源将获得广泛的应用,其容量将不断扩大。

       6)非接触式加热用中频电源的冷却技术将获得较大突破,将解决水冷方式对使用者带来的漏水,水质处理等不便,但这之间也许要经过很长的时间。

       7)非接触式加热用中频电源的配套件将不断进步,更加标准化、更系列化,给高中频电源的制造和维修带来更大的方便。

       8)非接触式加热用中频电源的单机功率容量将不断扩大,有望突破10MW,其工作频率将越来越高。

       9)与非接触式加热用中高频电源配套的限制电网干扰,保证电网绿色化的EMI抑制技术,功率因数校正技术将获得广泛应用,并进一步改善中高频非接触式加热电源的输出波形和效率。

       10)SIT及SITH这些器件将在我国中高频电源领域获得应用并填补我国至今没有自行开发应用这些器件制作的中高频非接触式加热电源的空白。

       11)中高频非接触式加热电源的起动方式,控制技术将再获得突破,并进一步提高这类电源的性能,采用新型控制策略的中频电源将获得大范围应用。

       三、结 论

       非接触式加热用中高频电源是我国工业生产中必用的设备,我国从事这类电源的开发与生产已有几十年的历史,其发展水平仍需提高,给工业的发展提供更加先进完善的产品。

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